爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证

新竹2024年3月15日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证，此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势，可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合，满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。

爱普科技的S-SiCap™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发，相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄，且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCap™ Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm2，操作电压最高可支持1.2V，同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Series Resistance)，在高频操作下能提供优异的稳压能力。

S-SiCap™具有超薄、客制化尺寸的特色，在先进封装制程中，能满足多样整合应用并且与SoC更接近。例如：接脚侧硅电容(S-SiCap™ on the landside)、封装基板内埋硅电容(S-SiCap™ embedded in package substrate)、2.5D封装应用硅电容(S-SiCap™ for 2.5D packaging)、硅电容中介层(S-SiCap™ in an interposer)等。

爱普科技总经理洪志勋表示，在高端手机及HPC芯片的应用趋势中，SoC需提供更高的效能，但同时可能会伴随功耗增加、电压不稳的情况，客户为了稳定电压，对电容规格的要求也会提高，优化产品整体表现。爱普新一代S-SiCap™ Gen3超越传统电容，电容密度更高、更薄、应用更多元，可搭配先进封装制程大幅提升SoC效能，在目前市场上极具优势。